韩国研究人员成功构建出小于的晶体管

韩国研究人员成功构建出小于的晶体管

7月11日消息，近日韩国基础科学研究所范德华量子固体研究中心主任JOMoon-Ho领导的研究团队，通过在硅上生长二维和一维结构，成功构建出栅极电极尺寸小于1nm的晶体管。据介绍，该研究团队采用新工艺开发了一种以一维金属为栅极电极的二维半导体逻辑电路新结构，实现了宽度小于1nm的一维金属材料的外延生长。IEEE的《国际器件与系统路线图》（IRDS）预测，到2037年，半导体技术节点将达到0.5nm左右，晶体管栅极长度为12nm。韩国研究团队证明，由一维MTB栅极施加的电场调制的通道宽度可以小至3.9nm，韩国研究人员...